發(fā)布時間：2023-10-17

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印下來的圖案加工到所需的材料上，最終得到成品。傳統(tǒng)的光刻技術(shù)主要使用光子衍射，而納米壓印主要使用電子衍射，后者比前者的衍射極限更小，也就是說后者可以達到更大的分辨率。 目前，納米壓印光刻機的制造成本只

發(fā)布時間：2023-09-26

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500W左右， 難以支撐下一代光刻技術(shù)的進一步發(fā)展。 因此在這個時候，加速器光源又被提了出來。 SSMB概念，是斯坦福線性加速器中心的趙午教授和他的博士生Daniel Ratner在2010年提出的。唐傳祥

發(fā)布時間：2023-08-26

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研發(fā)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，公司大量研發(fā)在美國。此外，其光刻機產(chǎn)品用到的光源、光柵等光學元件嚴重依賴美系供應商，2022年阿斯麥采購自北美地區(qū)的光刻機組件金額占總采購金額的13%。 另一邊，中國大

發(fā)布時間：2023-08-26

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不甘放棄中國市場。阿斯麥能從一家名不見經(jīng)傳的荷蘭光刻機創(chuàng)業(yè)公司擊敗日本尼康、佳能，成為具有壟斷地位的光刻機供應商，靠的正是美國協(xié)助研發(fā)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，公司大量研發(fā)在美國。此外，其光刻機產(chǎn)品

發(fā)布時間：2023-04-01

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后推出三款GPU芯片，使用H100 GPU 芯片的處理速度比現(xiàn)在廣泛使用的A100 GPU芯片要快10倍，新型的光刻技術(shù)將使計算光刻速度加速40倍以上，同時能耗降低七分之六。 “這兩者的結(jié)合使得我們必

發(fā)布時間：2023-03-18

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美國協(xié)助研發(fā)的EUV技術(shù)。上世紀90年代，英特爾為了促進光刻技術(shù)發(fā)展，聯(lián)合政府成立了EUV技術(shù)聯(lián)盟，美國三大國家實驗室——勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室——均是該聯(lián)盟成

發(fā)布時間：2023-03-18

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件金額占到了總采購金額的13%，光源、光柵等光學元件嚴重依賴美系供應商。 事實上，阿斯麥能在2009年擊敗此前獨霸天下的尼康、佳能，靠的就是美國協(xié)助研發(fā)的EUV技術(shù)。上世紀90年代，英特爾為了促進光刻

發(fā)布時間：2022-05-25

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創(chuàng)造性地采用了計算軸向光刻技術(shù)（CAL）打印玻璃。該技術(shù)能夠?qū)㈩A先計算的光圖案序列數(shù)字投影到樹脂容器中，隨著時間的推移，累積的光暴露穿過聚合閾值的區(qū)域變?yōu)閷嵭?，而不穿過該閾值的區(qū)域保持未固化，從而一次