FinFET
- 美芯片法案細則落地 限制受惠芯片公司在華擴產(chǎn)
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200毫米）或更小的硅片，或直徑小于等于6英寸（或150毫米）的復(fù)合晶圓；28納米及以上的邏輯芯片，半間距大于18納米的DRAM和層數(shù)少于128層的NAND閃存芯片。FinFET或GAAFET芯片、使
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盟和德國政府的支持，政府補貼資金的數(shù)額尚待確認。 計劃中的晶圓廠采用臺積電28/22納米平面CMOS和16/12納米FinFET工藝技術(shù)，預(yù)計月產(chǎn)能為4萬片12英寸晶圓，能直接創(chuàng)造約2000個高科技專
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，限制美國相關(guān)企業(yè)對中國出口。一方面，美國通過“三條紅線”限制中國發(fā)展高端芯片制造能力——即凡是16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、間距不超過18納米的
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，限制美國相關(guān)企業(yè)對中國出口。一方面，美國通過“三條紅線”限制中國發(fā)展高端芯片制造能力——即凡是16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、間距不超過18納米的
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試和封裝環(huán)節(jié)。成熟制程芯片定義為，28納米及以上的邏輯芯片，半間距大于18納米的DRAM和層數(shù)少于128層的NAND閃存芯片。FinFET或GAAFET芯片、使用了3D集成的芯片或者國家安全關(guān)鍵芯片不
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成電路制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，擁有領(lǐng)先的工藝制造能力、產(chǎn)能優(yōu)勢、服務(wù)配套，向全球客戶提供 0.35 微米到 FinFET 不同技術(shù)節(jié)點的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。 財新數(shù)據(jù)劉暢整理
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月7日，美國商務(wù)部下屬工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布多項對華出口管制措施。其中，對芯片制造設(shè)備和相關(guān)物項劃出三條紅線——16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片
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上長期采用的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。臺積電則計劃在2025年量產(chǎn)的2納米工藝中應(yīng)用GAA技術(shù)。 先進制程之外，貢獻臺積電三分之一營收的成熟制程未來也將承壓。前述中國大陸芯片投資人對財新指出
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星的3納米工藝采用了GAA（環(huán)繞柵極晶體管）技術(shù)，以取代此前在先進制程上長期采用的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。臺積電則計劃在2025年量產(chǎn)的2納米工藝中應(yīng)用GAA技術(shù)。 2022年11月5日，上
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