財(cái)新網(wǎng)所刊載內(nèi)容之知識(shí)產(chǎn)權(quán)為財(cái)新傳媒及/或相關(guān)權(quán)利人專屬所有或持有。未經(jīng)許可，禁止進(jìn)行轉(zhuǎn)載、摘編、復(fù)制及建立鏡像等任何使用。
京ICP證090880號(hào) 京ICP備10026701號(hào)-8 | 網(wǎng)信算備110105862729401250013號(hào) |
京公網(wǎng)安備 11010502034662號(hào)
廣播電視節(jié)目制作經(jīng)營(yíng)許可證：京第01015號(hào) | 出版物經(jīng)營(yíng)許可證：第直100013號(hào)
Copyright 財(cái)新網(wǎng) All Rights Reserved 版權(quán)所有 復(fù)制必究
違法和不良信息舉報(bào)電話（涉網(wǎng)絡(luò)暴力有害信息舉報(bào)、未成年人舉報(bào)、謠言信息）：010-85905050 13195200605 舉報(bào)郵箱：laixin@caixin.com
京ICP證090880號(hào) 京ICP備10026701號(hào)-8 | 網(wǎng)信算備110105862729401250013號(hào) |
京公網(wǎng)安備 11010502034662號(hào) 廣播電視節(jié)目制作經(jīng)營(yíng)許可證：京第01015號(hào) | 出版物經(jīng)營(yíng)許可證：第直100013號(hào)
Copyright 財(cái)新網(wǎng) All Rights Reserved 版權(quán)所有 復(fù)制必究
違法和不良信息舉報(bào)電話（涉網(wǎng)絡(luò)暴力有害信息舉報(bào)、未成年人舉報(bào)、謠言信息）：010-85905050 13195200605 舉報(bào)郵箱：laixin@caixin.com
論上可以達(dá)到22nm甚至更低的分辨率。 現(xiàn)在人們正在尋找除水以外具有更大折射率的液體。但這種液體要求非常嚴(yán)格：與光刻膠沒(méi)有反應(yīng)，光透過(guò)率高，折射率高，還要穩(wěn)定。目前已研發(fā)出的第二代浸入液的折射率為
熱評(píng)：
驗(yàn)收。 ? 2018年11月，中科院研制的“超分辨光刻裝備”通過(guò)驗(yàn)收。其光刻分辨力達(dá)22nm，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來(lái)還可用于制造10nm級(jí)芯片；2019年，清華大學(xué)和華卓精科的雙工件臺(tái)系統(tǒng)完成研發(fā)和
熱評(píng)：
文所述，臺(tái)積電、三星的7nm制程都離不開它。事實(shí)上，一旦芯片的制程要求在22nm以下，就必須要采用EUV光刻機(jī)，截止到目前，僅有AMLS可以供貨。其最新一代的EUV光刻機(jī)，單臺(tái)設(shè)備里超過(guò)100000個(gè)
熱評(píng)：
the numbers labeling their latest generations of chips, going from 32nm to 22nm, to 14nm and to 10nm
熱評(píng)：
2003年90nm節(jié)點(diǎn)采用應(yīng)變硅（Strained Silicon），2007年45nm節(jié)點(diǎn)采用高K金屬柵極（High-K Metal Gate），2011年的22nm節(jié)點(diǎn)采用3D晶體管（FinFET
熱評(píng)：
Medfield芯片組后，英特爾還將推出22nm、14nm的產(chǎn)品。馬宏升透露，“未來(lái)，在智能手機(jī)、平板電腦領(lǐng)域，我們還會(huì)有越來(lái)越多的產(chǎn)品。” 馬宏升表示，目前，英特爾專注于研發(fā)基于Android平臺(tái)的智能手
熱評(píng)：